IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 38 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF9Z34NPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772875

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.1 Ом/10А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Крутизна характеристики, S

4.2

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

-4

Техническая документация

IRF9Z34 datasheet , pdf , 175 КБ
Datasheet IRF9Z34NPBF , pdf , 250 КБ
Datasheet , pdf , 241 КБ

IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 38 руб.

Техническая документация