![STD3NM60N, Транзистор [D-PAK]](/file/p_img/1793206.jpg)
STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]
![STD3NK80ZT4, Транзистор, N-канал, 800В, 2,5A [D-PAK]](/file/p_img/1793205.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD3NK80ZT4
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5 Ом/1.25А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
STD3NK80ZT4 - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH ™, обеспечивающий стабилитронную защиту и минимальный заряд затвора. Supe…
STD3N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 2.2 Ом, 2.7 А, DPAK
Производитель: ST Microelectronics, STD3N62K3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом/1.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
STD20NF20, Транзистор N-MOSFET 200В 18А [DPAK]
![STD20NF20, Транзистор N-MOSFET 200В 18А [DPAK]](/file/p_img/1793203.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD20NF20
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом, 13 А [D-PAK]
![STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом, 13 А [D-PAK]](/file/p_img/1793202.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD18N55M5
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 550 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.192 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных тополо…
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK]
![STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK]](/file/p_img/1793201.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD17NF25
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.165 Ом/8.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252]
![STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252]](/file/p_img/1793200.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD17NF03LT4
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/8.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 12 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
STD14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А [D-PAK]
![STD14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А [D-PAK]](/file/p_img/1793199.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD14NM50N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.32 Ом/6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В…
STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK
Производитель: ST Microelectronics, STD11NM50N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.47 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
![STD110N8F6, Транзистор MOSFET N-CH 80В 80А [DPAK]](/file/p_img/1793197.jpg)