ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK]
Последняя цена
92 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD17NF25
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793201
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.165 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
90
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
en.CD00150910 , pdf
, 777 КБ