EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

STB16N65M5
Производитель: ST Microelectronics

STB140NF75T4, Транзистор MOSFET N-канал 75В 120А [D2-PAK]
STB140NF75T4, Транзистор MOSFET N-канал 75В 120А [D2-PAK]
Производитель: ST Microelectronics, STB140NF75T4

N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ F3, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряж…

STB100NF04T4, МОП-транзистор, N-канал, 40В, 120A, [TO-263-3]
STB100NF04T4, МОП-транзистор, N-канал, 40В, 120A, [TO-263-3]
Производитель: ST Microelectronics, STB100NF04T4

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…

STA508A, Транзисторная сборка, N-канал 120В, 6А, 4Вт, [SIP-10]
STA508A, Транзисторная сборка, N-канал 120В, 6А, 4Вт, [SIP-10]
Производитель: Sanken Electric, STA508A

SSS4N60B, Транзистор, N-канал 600В 4А [TO-220FP]
SSS4N60B, Транзистор, N-канал 600В 4А [TO-220FP]
Производитель: Fairchild Semiconductor, SSS4N60B
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 4.7
Корпус TO-220F

FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F]
FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F]
Производитель: ON Semiconductor, FQPF8N60CFT
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 Ом/3.13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 147
Крутизна характеристики, S 8.2
Корпус TO-220F

МОП-транзистор N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series

SSM9435GM, Транзистор MOSFET P-CH 30В [SOIC-8]
SSM9435GM, Транзистор MOSFET P-CH 30В [SOIC-8]
Производитель: VBsemi Elec, SSM9435GM

SSM6N15AFU,LF(T, Транзистор, U-MOS III, 2хN-канала, 30В, 0.1А [2-2J1C / SC-88]
SSM6N15AFU,LF(T, Транзистор, U-MOS III, 2хN-канала, 30В, 0.1А [2-2J1C / SC-88]
Производитель: Toshiba, SSM6N15AFU,LF(T

SQM50P03-07-GE3, МОП-транзистор, P-канал, 30V 50A, [TO-263-3]
Производитель: Vishay, SQM50P03-07-GE3

SQD40N06-14L-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 60В 40А [D-PAK]
SQD40N06-14L-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 60В 40А [D-PAK]
Производитель: Vishay, SQD40N06-14L-GE3

N-канальный МОП-транзистор, серия Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor МОП-транзисторы серии SQ от…