ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252]
Последняя цена
32 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD17NF03LT4
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793200
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.05 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
30
Крутизна характеристики, S
12
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
STD17NF03LT4 , pdf
, 293 КБ
Datasheet STD17NF03LT4 , pdf
, 306 КБ
Datasheet STD17NF03LT4 , pdf
, 299 КБ
Datasheet , pdf
, 306 КБ