ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом, 13 А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом, 13 А [D-PAK…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом, 13 А [D-PAK]
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD18N55M5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793202
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
550
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.192 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
90
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
...18N55M5 , pdf
, 1248 КБ
Datasheet , pdf
, 1541 КБ