STF22NM60N, Транзистор N-MOSFET 600В 16A [TO-220FP]
![STF22NM60N, Транзистор N-MOSFET 600В 16A [TO-220FP]](/file/p_img/1793240.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF22NM60N
МОП-транзистор N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А [TO-220FP]
![STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А [TO-220FP]](/file/p_img/1793239.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF21NM60ND
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.22 Ом/8.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Корпус | to-220fp |
N-канальный силовой МОП-транзистор FDmesh ™, STMicroelectronics
STF20N65M5, Транзистор MOSFET, N канал, 650В, 18А, [TO-220FP]
![STF20N65M5, Транзистор MOSFET, N канал, 650В, 18А, [TO-220FP]](/file/p_img/1793237.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF20N65M5
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных тополо…
STF18N55M5, Mosfet MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом, 13 А, TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics, STF18N55M5
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 550 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.192 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Корпус | to-220fp |
STF14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12А [TO-220FP]
![STF14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12А [TO-220FP]](/file/p_img/1793233.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF14NM50N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.32 Ом/6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™, 500 В, STMicroelectronics
STF11N65M2, Транзистор MOSFET N-CH 650В 7А [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STF11N65M2
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.67 Ом/3.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Корпус | to-220fp |
STF12N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 650 В, 0.39 Ом, 10 В, 4 В, TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics, STF12N65M5
| Структура | n-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.43 Ом/4.3a, 10В |
| Корпус | to-220fp |
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных тополо…
STF10NM60N формованные выводы, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP]
![STF10NM60N формованные выводы, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP]](/file/p_img/1793230.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF10NM60N формованные выводы
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.55 Ом/4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Корпус | to-220fp |
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP]
![STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP]](/file/p_img/1793229.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF10NM60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.55 Ом/4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
STD9NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.63 Ом, 6.5 А, DPAK
Производитель: ST Microelectronics, STD9NM60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.745 Ом/3.25А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |