ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD11NM50N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793198
Технические параметры
Вес, г
0.6
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
8.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.47 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
70
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
...11NM50N , pdf
, 658 КБ
Datasheet STD11NM50N , pdf
, 647 КБ