STD7NM80-1, Транзистор N-канал 800В 6.5А [IPAK]
![STD7NM80-1, Транзистор N-канал 800В 6.5А [IPAK]](/file/p_img/1793215.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD7NM80-1
| Структура | n-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.05 Ом/3.25a, 10В |
| Корпус | ipak |
N-Channel MDmesh ™, 800 В / 1500 В, STMicroelectronics
STD7NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.84 Ом, 4.7 А, DPAK
Производитель: ST Microelectronics, STD7NM60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/2.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
STD7N52DK3, Mosfet SuperFREDmesh3, N-канал, 525 В, 0.98 Ом, 6 А, DPAK
Производитель: ST Microelectronics, STD7N52DK3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 525 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.15 Ом/3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
STD60NF06T4, Транзистор MOSFET N-канал 60В 60А [TO-252]
![STD60NF06T4, Транзистор MOSFET N-канал 60В 60А [TO-252]](/file/p_img/1793212.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD60NF06T4
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом/30А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 20 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…
STD60N3LH5, Транзистор, STripFET V, N-канал 30В 48А [D-PAK]
![STD60N3LH5, Транзистор, STripFET V, N-канал 30В 48А [D-PAK]](/file/p_img/1793211.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD60N3LH5
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 48 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 Ом/24А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK]
![STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK]](/file/p_img/1793210.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD5NK50ZT4
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/2.2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус…
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK]
![STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK]](/file/p_img/1793209.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD5N52K3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 525 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/2.2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 525 В; Iс(25°C): 4.4 А; @Uзатв(ном): 7...10 В; Uзатв(макс): 30 В; Qзатв: 17 нКл Корпу…
STD5N20LT4, Транзистор, [D-PAK]
![STD5N20LT4, Транзистор, [D-PAK]](/file/p_img/1793208.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD5N20LT4
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
STD4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, DPAK
Производитель: ST Microelectronics, STD4N62K3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.95 Ом/1.9А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |