ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А [D-PA…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD14NM50N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А [D-PAK]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 320 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD14NM50N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793199
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.32 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
90
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
...14NM50N , pdf
, 1307 КБ