ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD3NM60N, Транзистор [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD3NM60N, Транзистор [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD3NM60N, Транзистор [D-PAK]
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD3NM60N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793206
Технические параметры
Вес, г
0.41
Brand
STMicroelectronics
Series
STD3NM60N
Package / Case
TO-252-3
Technology
Si
Rds On - Drain-Source Resistance
1.8 Ohms
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape or Reel
Product Category
MOSFET
Factory Pack Quantity
2500
Id - Continuous Drain Current
2.5 A
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting Style
SMD/SMT
Number Of Channels
1 Channel
Pd - Power Dissipation
50 W
Product Type
MOSFET
Subcategory
MOSFETs
Tradename
MDmesh
Transistor Type
1 N-Channel
Unit Weight
0.139332 oz
Техническая документация
Datasheet STD3NM60N , pdf
, 904 КБ
Datasheet , pdf
, 890 КБ