STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223]
![STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223]](/file/p_img/1793547.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STN1NK60Z
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15 Ом/0.4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.5 |
| Корпус | SOT-223 |
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 600V V(BR)DSS, 250MA I(D), SOT-223 Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-ист…
STL12N65M5
Производитель: ST Microelectronics
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.53 Ом/4.25А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Корпус | PowerFLAT-8 HV(5X6) |
STFW4N150, Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF]
![STFW4N150, Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF]](/file/p_img/1793248.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STFW4N150
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7 Ом/2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Крутизна характеристики, S | 3.5 |
| Корпус | TO-3PF |
STFW4N150 - это силовой МОП-транзистор с N-каналом 1500 В, разработанный с использованием хорошо интегрированного процесса высоковольтной MESH O…
STF9NK90Z, Транзистор MOSFET N-канал 900В 8А [TO-220FP]
![STF9NK90Z, Транзистор MOSFET N-канал 900В 8А [TO-220FP]](/file/p_img/1793247.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF9NK90Z
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом/3.6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 700 В до 1200 В, STMicroelectronics
STF7NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.84 Ом, 4.7 А, [TO-220FP]
![STF7NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.84 Ом, 4.7 А, [TO-220FP]](/file/p_img/1793246.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF7NM60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/2.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
STF7N60M2, Транзисторы MOSFET N-канал 600В 5А [TO-220FP]
![STF7N60M2, Транзисторы MOSFET N-канал 600В 5А [TO-220FP]](/file/p_img/1793245.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF7N60M2
STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP]
![STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP]](/file/p_img/1793244.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF6N95K5
MOSFET силовой транзистор - [TO-220FP]; Тип: N; Uси: 950 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 1.25 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 13 нКл Корпус TO220F…
STF6N65K3, Транзистор MOSFET N-канал 650В 5.4А [TO-220FP]
![STF6N65K3, Транзистор MOSFET N-канал 650В 5.4А [TO-220FP]](/file/p_img/1793243.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF6N65K3
STF3NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 800В 2.5А [TO-220FP]
![STF3NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 800В 2.5А [TO-220FP]](/file/p_img/1793242.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF3NK80Z
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5 Ом/1.25А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Крутизна характеристики, S | 2.1 |
| Корпус | to-220fp |
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 2.5 А; Rси(вкл): 4.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус…
STF24NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP]
![STF24NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP]](/file/p_img/1793241.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STF24NM60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics