STD10P6F6, Транзистор MOSFET P-канал 60В 10А [D-PAK]
![STD10P6F6, Транзистор MOSFET P-канал 60В 10А [D-PAK]](/file/p_img/1793196.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD10P6F6
P-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжени…
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
![STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]](/file/p_img/1793195.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STD10NM60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/4А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO25…
STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
![STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]](/file/p_img/1793188.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STB9NK60ZT4
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.95 Ом/3.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 5.3 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
STB9NK60ZT4 - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH ™, обеспечивающий стабилитронную защиту и минимальный заряд затвора. Этот…
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK]
![STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK]](/file/p_img/1793187.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STB6NK60ZT4
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 6 А; Rси(вкл): 1 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO2…
STB6N80K5, Транзистор D2PAK
Производитель: ST Microelectronics, STB6N80K5
MOSFET силовой транзистор - [D2PAK]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 1.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 13 нКл Корпус TO263, Конф…
STB60NF06T4, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60А [D2PAK]
![STB60NF06T4, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60А [D2PAK]](/file/p_img/1793185.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STB60NF06T4
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 60 А; Rси(вкл): 60 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В Корпус T…
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK]
![STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK]](/file/p_img/1793184.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STB55NF06T4
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом/27.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…
STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK]
![STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK]](/file/p_img/1793183.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STB34NM60ND
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.11 Ом/14.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
МОП-транзистор N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A
STB28NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.135 Ом, 21 А [D2-PAK]
![STB28NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.135 Ом, 21 А [D2-PAK]](/file/p_img/1793182.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STB28NM50N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.158 Ом/10.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
STB23NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.162 Ом, 17 А, D2PAK, транзистор
Производитель: ST Microelectronics, STB23NM50N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/8.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |