Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IGLD60R190D1AUMA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETsБиполярные транзисторы - BJT GAN HV

IGLD60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 15 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
IGLD60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 15 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IGLD60R070D1AUMA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETsКорпус PGLSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжени…

IAUC120N04S6L009ATMA1
IAUC120N04S6L009ATMA1
Производитель: Infineon Technologies

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор_(20V 40V)

HUFA76429D3ST_F085, Транзистор
HUFA76429D3ST_F085, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUFA76429D3ST_F085

МОП-транзистор 20a 60V 0.027 Ohm

HP8MA2TB1, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 18 А, 0.0075 Ом, HSOP, Surface Mount
HP8MA2TB1, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 18 А, 0.0075 Ом, HSOP, Surface Mount
Производитель: Rohm, HP8MA2TB1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыМОП-транзистор 30V N-CHANNEL

GAN063-650WSAQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole
GAN063-650WSAQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole
Производитель: Nexperia, GAN063-650WSAQ

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETs • Сверхнизкий заряд обратного восстановления • Простой при…

G2R1000MT33J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4 А, 3.3 кВ, 1 Ом, TO-263 (D2PAK)
G2R1000MT33J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4 А, 3.3 кВ, 1 Ом, TO-263 (D2PAK)
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R1000MT33J

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsN-канал 3300V 4A (Tc) 74W (Tc) поверхностный монтаж TO-263-7