IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
![IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount](/file/p_img/1249155.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGLD60R190D1AUMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETsБиполярные транзисторы - BJT GAN HV
IGLD60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 15 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
![IGLD60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 15 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount](/file/p_img/1249154.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGLD60R070D1AUMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETsКорпус PGLSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжени…
IAUC120N04S6L009ATMA1
![IAUC120N04S6L009ATMA1](/file/p_img/1248340.jpg)
Производитель: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор_(20V 40V)
HUFA76429D3ST_F085, Транзистор
![HUFA76429D3ST_F085, Транзистор](/file/p_img/1247668.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, HUFA76429D3ST_F085
МОП-транзистор 20a 60V 0.027 Ohm
HP8MA2TB1, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 18 А, 0.0075 Ом, HSOP, Surface Mount
![HP8MA2TB1, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 18 А, 0.0075 Ом, HSOP, Surface Mount](/file/p_img/1245350.jpg)
Производитель: Rohm, HP8MA2TB1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыМОП-транзистор 30V N-CHANNEL
GAN063-650WSAQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole
![GAN063-650WSAQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole](/file/p_img/1237447.jpg)
Производитель: Nexperia, GAN063-650WSAQ
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETs • Сверхнизкий заряд обратного восстановления • Простой при…
GAN041-650WSBQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 В, 47.2 А, 0.041 Ом, 22 нКл, TO-247, Through Hole
![GAN041-650WSBQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 В, 47.2 А, 0.041 Ом, 22 нКл, TO-247, Through Hole](/file/p_img/1237446.jpg)
Производитель: Nexperia, GAN041-650WSBQ
G2R1000MT33J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4 А, 3.3 кВ, 1 Ом, TO-263 (D2PAK)
![G2R1000MT33J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4 А, 3.3 кВ, 1 Ом, TO-263 (D2PAK)](/file/p_img/1236428.jpg)
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R1000MT33J
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsN-канал 3300V 4A (Tc) 74W (Tc) поверхностный монтаж TO-263-7
FS03MR12A6MA1B, Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Шесть N Каналов, 400 А, 1.2 кВ, 0.00275 Ом, Module
![FS03MR12A6MA1B, Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Шесть N Каналов, 400 А, 1.2 кВ, 0.00275 Ом, Module](/file/p_img/1234525.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FS03MR12A6MA1B
FQPF9P25, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 250 В, 6 А, 0.48 Ом, TO-220F, Through Hole
![FQPF9P25, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 250 В, 6 А, 0.48 Ом, TO-220F, Through Hole](/file/p_img/1234161.jpg)