EL

GAN041-650WSBQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 В, 47.2 А, 0.041 Ом, 22 нКл, TO-247, Through Hole - характеристики, поставщики

GAN041-650WSBQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 В, 47.2 А, 0.041 Ом, 22 нКл, TO-247, Through Hole

Последняя цена 2550 руб.
GAN041-650WSBQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 В, 47.2 А, 0.041 Ом, 22 нКл, TO-247, Through Hole
Техническая документация
  • Datasheet GAN041-650WSBQ , pdf , 311 КБ