ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQPF9P25, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 250 В, 6 А, 0.48 Ом, TO-220F, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
FQPF9P25, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 250 В, 6 А, 0.48 Ом, TO-220…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQPF9P25, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 250 В, 6 А, 0.48 Ом, TO-220F, Through Hole
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
FQPF9P25
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1234161
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220F
Рассеиваемая Мощность
50Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
250в
Непрерывный Ток Стока
6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.48Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5в
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
0.907
Линейка Продукции
QFET Series
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1313 КБ