FF6MR12W2M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, Module
![FF6MR12W2M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, Module](/file/p_img/1230468.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) L…
FF6MR12W2M1B70BPSA1, МОП-транзистор, N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, 15 В, 4.5 В
Производитель: Infineon Technologies, FF6MR12W2M1B70BPSA1
FF6MR12KM1PHOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 250 А, 1.2 кВ, 0.00581 Ом, Module
![FF6MR12KM1PHOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 250 А, 1.2 кВ, 0.00581 Ом, Module](/file/p_img/1230466.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF6MR12KM1PHOSA1
FF6MR12KM1BOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 250 А, 1.2 кВ, 0.00581 Ом, Module
![FF6MR12KM1BOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 250 А, 1.2 кВ, 0.00581 Ом, Module](/file/p_img/1230465.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF6MR12KM1BOSA1
FF3MR12KM1PHOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 375 А, 1.2 кВ, 0.00283 Ом, Module
![FF3MR12KM1PHOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 375 А, 1.2 кВ, 0.00283 Ом, Module](/file/p_img/1230447.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF3MR12KM1PHOSA1
FF2MR12KM1PHOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 500 А, 1.2 кВ, 0.00213 Ом, Module
![FF2MR12KM1PHOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 500 А, 1.2 кВ, 0.00213 Ом, Module](/file/p_img/1230441.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF2MR12KM1PHOSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsДискретные полупроводниковые модули
FF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module
![FF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module](/file/p_img/1230422.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF11MR12W1M1PB11BPSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & ModulesДискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY…
FF11MR12W1M1B70BPSA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, 15 В, 4.5 В
Производитель: Infineon Technologies, FF11MR12W1M1B70BPSA1
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 150 А, 1.2 кВ, 0.00733 Ом, Module
![FF08MR12W1MA1B11ABPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 150 А, 1.2 кВ, 0.00733 Ом, Module](/file/p_img/1230399.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsДискретные полупроводниковые модули
FDS9431A, МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -20 В, 0.13 Ом, -4.5 В, -600 мВ
Производитель: ONSEMI, FDS9431A
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы FDS9431A - это P-канальный МОП-транзистор с напряжен…