EL

IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount - характеристики, поставщики

IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount

Последняя цена 2610 руб.
IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
Техническая документация
  • Datasheet IGLD60R190D1AUMA1 , pdf , 523 КБ
  • Datasheet IGLD60R190D1AUMA1 , pdf , 495 КБ