ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HP8MA2TB1, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 18 А, 0.0075 Ом, HSOP, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
HP8MA2TB1, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 18 А, 0.007…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
HP8MA2TB1, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 18 А, 0.0075 Ом, HSOP, Surface Mount
Последняя цена
300 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
HP8MA2TB1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1245350
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
HSOP
Рассеиваемая Мощность
7Вт
Полярность Транзистора
N и P Дополнение
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
18А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0075Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
5.577
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
18 A, 15 A
Pd - рассеивание мощности
7 W
Qg - заряд затвора
22 nC, 25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
9.6 mOhms, 17.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
12 ns, 14 ns
Время спада
14 ns, 60 ns
Другие названия товара №
HP8MA2
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
46 ns, 73 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns, 9.4 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
HSOP-8
Упаковка
Reel, Cut Tape
Техническая документация
Datasheet HP8MA2TB1 , pdf
, 4471 КБ
Datasheet HP8MA2TB1 , pdf
, 2380 КБ