G2R1000MT33J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4 А, 3.3 кВ, 1 Ом, TO-263 (D2PAK), GENESIC SEMICONDUCTOR - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2550 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

N-канал 3300V 4A (Tc) 74W (Tc) поверхностный монтаж TO-263-7

Информация

Производитель

GENESIC SEMICONDUCTOR

Артикул

G2R1000MT33J

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1236428

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263 (D2PAK)

Рассеиваемая Мощность

74Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

3.3кВ

Непрерывный Ток Стока

4А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

1Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Пороговое Напряжение Vgs

3.5В

Вес, г

1.39

MOSFET Configuration

Single

Линейка Продукции

G2R Series

Series

G2Rв„ў ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

3300V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 20V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

238pF @ 1000V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-8, DВІPak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Power Dissipation (Max)

74W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2A, 20V

RoHS Status

RoHS Compliant

Supplier Device Package

TO-263-7

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+20V, -5V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 2mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet G2R1000MT33J , pdf , 1311 КБ
Datasheet G2R1000MT33J , pdf , 1358 КБ

G2R1000MT33J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4 А, 3.3 кВ, 1 Ом, TO-263 (D2PAK) - характеристики, поставщики

Последняя цена 2550 руб.

Техническая документация