IPB054N06N3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80…
IPB039N10N3GATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 160 А, 0.0033 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IPB039N10N3GATMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe IPB039N10N3 G is an OptiMOS™ N-chan…
IPA60R600P6XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 7.3 А, 0.54 Ом, TO-220FP, Through Hole
Производитель: Infineon Technologies, IPA60R600P6XKSA1
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-канал, 600 В, 4,9 А (Tc), 28 Вт (Tc), сквозное отверст…
IPA60R165CPXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 А, 0.15 Ом, TO-220, Through Hole
Производитель: Infineon Technologies, IPA60R165CPXKSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPA60R165CP, SP000096437
IPA60R160C6XKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 23.8 А, 600 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В
Производитель: Infineon Technologies, IPA60R160C6XKSA1
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 /…
IMZA65R072M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 28 А, 650 В, 0.072 Ом, TO-247
Производитель: Infineon Technologies, IMZA65R072M1HXKSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsМОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
IMZA65R048M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.048 Ом, TO-247
Производитель: Infineon Technologies, IMZA65R048M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 59 А, 650 В, 0.027 Ом, TO-247
Производитель: Infineon Technologies, IMZA65R027M1HXKSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsМОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
IMZ120R350M1HXKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 30, корпус: TO2474, АБМОП-транзистор SIC DISCRETE
IMZ120R220M1HXKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 10, корпус: TO2474, АБМОП-транзистор SIC DISCRETE