EL

IGLD60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 15 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount - характеристики, поставщики

IGLD60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 15 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount

Последняя цена 3750 руб.
IGLD60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 15 А, 0.055 Ом, 5.8 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount
Техническая документация
  • Datasheet IGLD60R070D1AUMA1 , pdf , 479 КБ