EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

IPP600N25N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 250 В, 0.051 Ом, 10 В, 3 В
IPP600N25N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 250 В, 0.051 Ом, 10 В, 3 В
Производитель: Infineon Technologies, IPP600N25N3GXKSA1

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы IPP600N25N3 G - это N-канальный силовой полевой МОП-…

IPP076N15N5AKSA1
IPP076N15N5AKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБTrans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Корпу…

IPN50R650CEATMA1, Микросхема
IPN50R650CEATMA1, Микросхема
Производитель: Infineon Technologies, IPN50R650CEATMA1

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

IPG20N06S2L35ATMA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON
IPG20N06S2L35ATMA1 транзистор, N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON
Производитель: Infineon Technologies, IPG20N06S2L35ATMA1 транзистор

• Силовой транзистор OptiMOS ™ • Двойной N-канальный логический уровень - режим улучшения • Соответствие требованиям AEC Q101 для авто…

IPD95R750P7ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 950 В, 9 А, 0.64 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
IPD95R750P7ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 950 В, 9 А, 0.64 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IPD95R750P7ATMA1

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыТранзистор MOSFET 950 В CoolMOS P7Технические ха…

IPD60R1K5CEAUMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 5 А, 1.26 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
IPD60R1K5CEAUMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 5 А, 1.26 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IPD60R1K5CEAUMA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор CONSUMER

IPD60R180P7ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.145 Ом, 10 В, 3.5 В
IPD60R180P7ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.145 Ом, 10 В, 3.5 В
Производитель: Infineon Technologies, IPD60R180P7ATMA1

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семе…

IPB80P03P4L07ATMA2, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 80 А, 0.0056 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
IPB80P03P4L07ATMA2, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 80 А, 0.0056 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Производитель: Infineon Technologies, IPB80P03P4L07ATMA2

IPB60R125C6ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 600 В, 0.11 Ом, 10 В, 3 В
IPB60R125C6ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 600 В, 0.11 Ом, 10 В, 3 В
Производитель: Infineon Technologies, IPB60R125C6ATMA1

IPB160N04S203ATMA4, Транзистор MOSFET N-CH 40В 160А [TO263-7, 6 Leads]
IPB160N04S203ATMA4, Транзистор MOSFET N-CH 40В 160А [TO263-7, 6 Leads]
Производитель: Infineon Technologies, IPB160N04S203ATMA4

МОП-транзистор N-CHANNEL_30/40V