ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FS03MR12A6MA1B, Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Шесть N Каналов, 400 А, 1.2 кВ, 0.00275 Ом, Module - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FS03MR12A6MA1B, Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Шесть N Каналов, 400…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FS03MR12A6MA1B, Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Шесть N Каналов, 400 А, 1.2 кВ, 0.00275 Ом, Module
Последняя цена
421470 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FS03MR12A6MA1B
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1234525
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
32вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Полярность Транзистора
Шесть N Каналов
Напряжение Истока-стока Vds
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока
400А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.00275Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
15В
Пороговое Напряжение Vgs
4.4В
Вес, г
453.6
MOSFET Configuration
SixPack
Линейка Продукции
HybridPACK CoolSiC Series
Техническая документация
Datasheet FS03MR12A6MA1B , pdf
, 1592 КБ