FDC5614P
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC5614P представляет собой полевой МОП-транзистор PowerTrench® с логическим уровнем P-канала с напряжением -60 В и специально разработан для ми…
FDC3601N, Двойной МОП-транзистор, 2 N Канала, 1 А, 100 В, 500 мОм, 10 В, 2.6 В [SuperSOT-6]
![FDC3601N, Двойной МОП-транзистор, 2 N Канала, 1 А, 100 В, 500 мОм, 10 В, 2.6 В [SuperSOT-6]](/file/p_img/1766044.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC3601N
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.5 Ом/1А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Крутизна характеристики, S | 3.6 |
| Корпус | SuperSOT-6/SOT-23-6 |
FDC3601N - это двухканальный МОП-транзистор PowerTrench® на 100 В, специально разработанный для минимизации сопротивления в открытом состоянии и…
FDB12N50TM, Транзистор MOSFET N-CH 500В 11.5А [D2-PAK]
![FDB12N50TM, Транзистор MOSFET N-CH 500В 11.5А [D2-PAK]](/file/p_img/1766033.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDB12N50TM
МОП-транзистор 500V N-CH МОП-транзистор
FDB050AN06A0, Транзистор N-MOSFET 60В 18A/80A [D2-PAK]
![FDB050AN06A0, Транзистор N-MOSFET 60В 18A/80A [D2-PAK]](/file/p_img/1766032.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDB050AN06A0
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]
![FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]](/file/p_img/1766031.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA69N25
Cloud Power Management Solutions onsemi Cloud Power Management Solutions drive efficiency while simplifying system design, redu…
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
![FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]](/file/p_img/1766030.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA59N30
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.056 Ом/29.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Крутизна характеристики, S | 52 |
| Корпус | TO-3PN |
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube Корпус TO3P
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]
![FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]](/file/p_img/1766029.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA59N25
FDA59N25 - это N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, изготовленный с использованием высоковольтной планарной полосы Fairchild Semiconductor и тех…
FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN]
![FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN]](/file/p_img/1766028.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA38N30
FDA38N30 - это N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, изготовленный с использованием высоковольтной планарной полосы Fairchild Semiconductor и тех…
FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
![FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]](/file/p_img/1766027.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA24N50F
МОП-транзистор N-Ch