FDB050AN06A0, Транзистор N-MOSFET 60В 18A/80A [D2-PAK], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB050AN06A0

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766032

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.5

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное рассеяние мощности

245 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

11 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

28 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

264 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

61 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

3900 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

FDP050AN06A0-D-1808062 , pdf , 995 КБ
Datasheet , pdf , 902 КБ

FDB050AN06A0, Транзистор N-MOSFET 60В 18A/80A [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация