ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Корпус TO3P
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDA59N30
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766030
Технические параметры
Вес, г
6.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
500
Крутизна характеристики, S
52
Корпус
TO-3PN
Техническая документация
FDA59N30 , pdf
, 1919 КБ
Datasheet FDA59N30 , pdf
, 1902 КБ
Datasheet FDA59N30 , pdf
, 1915 КБ