EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

FDD8424H, Транзисторная сборка PowerTrench N/P-каналы 40В 9А/6.5А [D-PAK]
FDD8424H, Транзисторная сборка PowerTrench N/P-каналы 40В 9А/6.5А [D-PAK]
Производитель: ON Semiconductor, FDD8424H

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с двумя N / P-каналами, Fairchild Semiconductor МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптим…

FDD7N25LZTM, Транзистор MOSFET N-CH 250В 6.2А [D-PAK]
FDD7N25LZTM, Транзистор MOSFET N-CH 250В 6.2А [D-PAK]
Производитель: ON Semiconductor, FDD7N25LZTM

FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
Производитель: ON Semiconductor, FDD6635
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 55
Крутизна характеристики, S 53
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

Корпус TO252

FDD5N50NZ, Транзистор MOSFET, N-канал, 500В, [D-PАK]
FDD5N50NZ, Транзистор MOSFET, N-канал, 500В, [D-PАK]
Производитель: ON Semiconductor, FDD5N50NZ

FDD5614P, Транзистор
FDD5614P, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDD5614P

МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные перекл…

FDC6561AN
FDC6561AN
Производитель: Fairchild Semiconductor

FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
Производитель: ON Semiconductor, FDC655BN

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDC6420C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 20В, 3/-2.2А, 95/190мОм [SuperSOT-6]
FDC6420C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 20В, 3/-2.2А, 95/190мОм [SuperSOT-6]
Производитель: ON Semiconductor, FDC6420C
Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3./2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.07 Ом/3А, 4.5В/0.125 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.96
Крутизна характеристики, S 10/6
Корпус SuperSOT-6/SOT-23-6

Корпус SOT236

FDC638APZ, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 20В, 4.5А [SSOT-6]
FDC638APZ, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 20В, 4.5А [SSOT-6]
Производитель: ON Semiconductor, FDC638APZ

МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные перекл…

FDC602P, Транзистор MOSFET P-CH 20V 5.5A [SSOT-6]
FDC602P, Транзистор MOSFET P-CH 20V 5.5A [SSOT-6]
Производитель: ON Semiconductor, FDC602P

• Высокая скорость переключения • Высокопроизводительная технология Trench для чрезвычайно низкого RDS (ON)