EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

FDP20N50, Транзистор N-MOSFET 500В 20A [TO-220]
FDP20N50, Транзистор N-MOSFET 500В 20A [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FDP20N50

FDP20N50 - это N-канальный полевой МОП-транзистор UniFET ™, изготовленный на основе планарных полосок Fairchild Semiconductor и технологии DMOS.…

FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220]
FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FDP18N50
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.265 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 235
Крутизна характеристики, S 25
Корпус to-220

FDP18N50 - это N-канальный МОП-транзистор UniFET ™ на 500 В на основе планарной полосы и технологии DMOS. Этот полевой МОП-транзистор предназнач…

FDP150N10, Транзистор N-канал 100В 57А [TO220]
FDP150N10, Транзистор N-канал 100В 57А [TO220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP150N10
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 Ом/49А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 156
Корпус to-220

N-канал 100V 57A (Tc) 110W (Tc) сквозное отверстие TO-220-3

FDP100N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал 100В 75А 10мОм [TO220]
FDP100N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал 100В 75А 10мОм [TO220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP100N10
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.01 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Крутизна характеристики, S 110
Корпус to-220

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench

FDP075N15A-F102, Транзистор MOSFET N-CH 150В 130А [TO-220-3]
FDP075N15A-F102, Транзистор MOSFET N-CH 150В 130А [TO-220-3]
Производитель: ON Semiconductor, FDP075N15A-F102

N-канал 150V 130A (Tc) 333W (Tc) сквозное отверстие TO-220-3

FDP047N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 100В, 164А, 4.7мОм [TO220]
FDP047N10, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 100В, 164А, 4.7мОм [TO220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP047N10
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 164
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0047 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Крутизна характеристики, S 170
Корпус to-220

МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench

FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3
Производитель: ON Semiconductor, FDP047N08
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 164
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0047 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 268
Крутизна характеристики, S 150
Корпус to-220

МОП-транзистор 75V N-Channel PowerTrench

FDP032N08, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 75В, 235А, 3.2мОм [TO220]
FDP032N08, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 75В, 235А, 3.2мОм [TO220]
Производитель: ON Semiconductor, FDP032N08
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0032 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Крутизна характеристики, S 180
Корпус to-220

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, FDP025N06
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 265
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0025 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 395
Крутизна характеристики, S 200
Корпус to-220

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SuperSOT-3]
FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SuperSOT-3]
Производитель: ON Semiconductor, FDN360P

МОП-транзистор с P-каналом; напряжение сток-исток -30 В; ток стока -2 А, сопротивление открытого канала 0.08 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд…