EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3]
FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3]
Производитель: ON Semiconductor, FDN358P

FDN358P - это полевой МОП-транзистор логического уровня с P-каналом, изготовленный с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench® к…

FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]
FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDN337N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.065 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 13
Корпус SuperSOT-3/SOT-23-3

FDN337N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23 от компании Fairchild. Этот транзистор прои…

FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]
FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]
Производитель: ON Semiconductor, FDN335N

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
Производитель: ON Semiconductor, FDN302P

FDN302P представляет собой P-канальный полевой транзистор PowerTrench® с напряжением -20 В и напряжением 2,5 В, специально разработанный для мин…

FDMS3602S, Транзистор MOSFET 2N-канала 25В 15А/26А [POWER-56]
FDMS3602S, Транзистор MOSFET 2N-канала 25В 15А/26А [POWER-56]
Производитель: ON Semiconductor, FDMS3602S

Двойной N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, Fairchild Semiconductor ON Полевые МОП-транзисторы Semis PowerTrench® оптим…

FDMC8884, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.016 Ом, 10 В, 1.9 В [MLP-3.3x3.3]
FDMC8884, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.016 Ом, 10 В, 1.9 В [MLP-3.3x3.3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDMC8884
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.019 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 18
Крутизна характеристики, S 24
Корпус MLP-8(3.3X3.3)

FDMC8200, Транзистор MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A [POWER33-8]
FDMC8200, Транзистор MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A [POWER33-8]
Производитель: ON Semiconductor, FDMC8200

МОП-транзистор DUAL N-CHANNEL PowerTrench

FDMC7692, Транзистор MOSFET N-канал 30В [MLP-8]
FDMC7692, Транзистор MOSFET N-канал 30В [MLP-8]
Производитель: ON Semiconductor, FDMC7692

МОП-транзистор N-Chan, 30/20V PowerTrench

FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В, -6.6А [MicroFET 2x2]
FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В, -6.6А [MicroFET 2x2]
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDMA291P
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.042 Ом/6.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.4
Крутизна характеристики, S 16
Корпус MicroFET-6(2X2)

FDMA291P представляет собой одиночный P-канальный MOSFET с напряжением 1,8 В, изготовленный с использованием технологии PowerTrench® компании Fa…

FDH5500_F085, Транзистор MOSFET N-CH 55V 75A [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, FDH5500_F085
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Корпус to-247