ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
Cloud Power Management Solutions
onsemi Cloud Power Management Solutions drive efficiency while simplifying system design, reducing board space, improving reliability and accelerating time to market. As the world demand for energy increases by 35 to 40% by 2030, onsemi powers major industrial products with cool efficiency to conserve the energy we use every day.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDA69N25
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766031
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6.5
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное рассеяние мощности
480 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
20.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
41 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.8мм
Серия
UniFET
Типичное время задержки выключения
130 ns
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
95 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
77 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3570 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
FDA69N25 , pdf
, 1160 КБ
Datasheet FDA69N25 , pdf
, 1158 КБ
Datasheet , pdf
, 1156 КБ
Datasheet , pdf
, 1156 КБ