FDB3632, MOSFET транзистор, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 500 руб.

Сравнить

Описание

Корпус TO263

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDB3632

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766034

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

1.963

Максимальный непрерывный ток стока

12 А

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

9 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

96 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

30 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

84 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

6000 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 863 КБ
Datasheet FDB3632 , pdf , 927 КБ
Datasheet FDB3632 , pdf , 915 КБ

FDB3632, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 500 руб.

Техническая документация