FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
![FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]](/file/p_img/1766026.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA24N50
FDA24N50 - это N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, изготовленный с использованием высоковольтной планарной полоски Fairchild Semiconductor и те…
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]
![FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]](/file/p_img/1766025.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA24N40F
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/11.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 235 |
| Крутизна характеристики, S | 29 |
| Корпус | TO-3PN |
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-тран…
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
![FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]](/file/p_img/1766024.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FDA20N50F
МОП-транзистор 500V N-Channel
FCPF7N60, Транзистор, N-канал 600В 7А [TO-220F]
![FCPF7N60, Транзистор, N-канал 600В 7А [TO-220F]](/file/p_img/1765962.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FCPF7N60
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/3.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Крутизна характеристики, S | 6 |
| Корпус | TO-220F |
23 нКл) • Низкая эффективная выходная емкость (Coss.eff = 60 пФ) • 100% лавинные испытания
FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]
![FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]](/file/p_img/1765961.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FCPF22N60NT
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.165 Ом/11А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 |
| Крутизна характеристики, S | 22 |
| Корпус | TO-220F |
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 16…
FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F]
![FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F]](/file/p_img/1765960.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FCPF16N60NT
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.199 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35.7 |
| Крутизна характеристики, S | 13 |
| Корпус | TO-220F |
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 16…
FCPF11N60, Nкан 650В 11А TO-220F
Производитель: Fairchild Semiconductor, FCPF11N60
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.38 Ом/5.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 9.7 |
| Корпус | TO-220F |
40 нКл) • Низкая эффективная выходная емкость (Coss.eff = 95 пФ) • 100% лавинные испытания
FCP22N60N, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220]
![FCP22N60N, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220]](/file/p_img/1765958.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FCP22N60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.165 Ом/11А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 205 |
| Крутизна характеристики, S | 22 |
| Корпус | to-220 |
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 16…
FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220]
![FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220]](/file/p_img/1765957.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FCP16N60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.199 Ом/8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 134 |
| Крутизна характеристики, S | 13 |
| Корпус | to-220 |
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 16…
FCP13N60N, Транзистор, N-канал 600В 13А [TO-220]
![FCP13N60N, Транзистор, N-канал 600В 13А [TO-220]](/file/p_img/1765956.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FCP13N60N
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.258 Ом/6.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 116 |
| Крутизна характеристики, S | 16.3 |
| Корпус | to-220 |
МОП-транзистор 600V, 13A, N-Chan