FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

FDA59N25 - это N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, изготовленный с использованием высоковольтной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Он разработан для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и для обеспечения лучшей коммутационной способности и большей устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных преобразователей мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), питание телевизоров с плоскими дисплеями (FPD), ATX и балласты для электронных ламп.

• 63 нКл, типичный низкий заряд затвора
• 70 пФ, типичный низкий коэффициент Crss
• 100% испытание на лавину

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDA59N25

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766029

Технические параметры

Вес, г

6.5

Series

UniFETв„ў ->

Base Product Number

FDA59 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

59A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4020pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Power Dissipation (Max)

392W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 29.5A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PN

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Техническая документация

FDA59N25 , pdf , 1370 КБ
Datasheet FDA59N25 , pdf , 1368 КБ
Datasheet FDA59N25 , pdf , 1350 КБ

FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN] - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация