FDB12N50TM, Транзистор MOSFET N-CH 500В 11.5А [D2-PAK], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 500V N-CH МОП-транзистор

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB12N50TM

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766033

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.5

Ширина

9.65 mm

Высота

4.83 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

11.5 A

Pd - рассеивание мощности

165 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

550 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

60 ns

Время спада

35 ns

Длина

10.67 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Серия

FDB12N50TM

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-263-3

Техническая документация

FDB12N50TM , pdf , 847 КБ
Datasheet FDB12N50TM , pdf , 843 КБ
Datasheet , pdf , 841 КБ

FDB12N50TM, Транзистор MOSFET N-CH 500В 11.5А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация