SPD07N60C3, 7.3A 600v 0.60Om TO252-3, транзистор
Производитель: Infineon Technologies, SPD07N60C3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/4.6a, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]
![SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]](/file/p_img/1792405.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPD06N80C3ATMA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/3.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Крутизна характеристики, S | 4 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
MOSFET, N CHANNEL, 800V, 6A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Корпус TO252, Конфигурация и полярность N…
SPD02N80C3ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 800 В, 2.4 Ом, 10 В, 3 В
Производитель: Infineon Technologies, SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3 - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор CoolMOS ™ 800 В, обеспечивающий сверхнизкий ток затвора. Он подходит для питания ПК,…
SPA20N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20.7А [TO-220FP]
![SPA20N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20.7А [TO-220FP]](/file/p_img/1792399.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPA20N60C3XKSA1
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…
SPA11N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 11А [TO-220FP]
![SPA11N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 11А [TO-220FP]](/file/p_img/1792398.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPA11N60C3XKSA1
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
SP8M3FU6TB, Транзистор, N/P-канал 30В 4.5А [SOP-8]
![SP8M3FU6TB, Транзистор, N/P-канал 30В 4.5А [SOP-8]](/file/p_img/1792395.jpg)
Производитель: Rohm, SP8M3FU6TB
| Структура | N/P-каналы |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5/4.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.051 Ом/5А, 10В/0.056 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 3 |
| Корпус | soic-8 |
SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор 2N-MOSFET 30В 30A [PowerPAIR-8 (3 x 3)]
![SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор 2N-MOSFET 30В 30A [PowerPAIR-8 (3 x 3)]](/file/p_img/1791256.jpg)
Производитель: Vishay, SIZ340DT-T1-GE3
Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор PowerPAIR®, Vishay Semiconductor полевые МОП-транзисторы высокого и низкого уровн…
SIS476DN-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 28.6А [PowerPAK 1212-8]
![SIS476DN-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 28.6А [PowerPAK 1212-8]](/file/p_img/1791253.jpg)
Производитель: Vishay, SIS476DN-T1-GE3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28.6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0025 Ом/15А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.7 |
| Крутизна характеристики, S | 105 |
| Корпус | PowerPAK-1212-8 |
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8]
![SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8]](/file/p_img/1791251.jpg)
Производитель: Vishay, SIR462DP-T1-GE3
SIR462DP-T1-GE3 - это полевой МОП-транзистор TrenchFET® с N-канальным режимом расширения и N-каналом 30VDS, подходящий для высокопроизводительны…
SIR422DP-T1-GE3, Транзистор
Производитель: Vishay, SIR422DP-T1-GE3
Корпус POWERPAKSO8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корп…