EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]
SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]
Производитель: Vishay, SI5441BDC-T1-GE3

МОП-транзистор 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V

SI4850EY-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 60В 6А [SOIC-8]
SI4850EY-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 60В 6А [SOIC-8]
Производитель: Vishay, SI4850EY-T1-E3

МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4848DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 150 В, [SO-8]
SI4848DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 150 В, [SO-8]
Производитель: Vishay, SI4848DY-T1-GE3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.085 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.5
Крутизна характеристики, S 15
Корпус soic-8

SI4848DY-T1-GE3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с N-канальным режимом расширения и N-канальным напряжением 150 В с антипараллель…

SI4835DDY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -8.7 А, -30 В, 14 мОм [SO-8]
SI4835DDY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -8.7 А, -30 В, 14 мОм [SO-8]
Производитель: Vishay, SI4835DDY-T1-GE3
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 Ом/10a, 10В
Корпус soic-8

• P-канальный полевой МОП-транзистор 30 В (D-S) • силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® • 100% Rg и UIS протестированы • Подх…

SI4848DY-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 150 В, 0.068 Ом, 10 В, 2 В, SO-8
SI4848DY-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 150 В, 0.068 Ом, 10 В, 2 В, SO-8
Производитель: Vishay, SI4848DY-T1-E3
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.085 Ом/3.5a, 10В
Корпус soic-8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.…

SI4483ADY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -19.2 А, -30 В, 0.0127 Ом, -4.5 В, -2.1 В [SO-8]
SI4483ADY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -19.2 А, -30 В, 0.0127 Ом, -4.5 В, -2.1 В [SO-8]
Производитель: Vishay, SI4483ADY-T1-GE3
Структура p-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0088 Ом/10a, 10В
Корпус soic-8

• 100% Rg проверено • 100% проверено UIS • Без галогенов • От -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

SI4459BDY-T1-GE3, МОП-транзистор, N-канал, 30V Vds, 16V Vgs, [SO-8]
SI4459BDY-T1-GE3, МОП-транзистор, N-канал, 30V Vds, 16V Vgs, [SO-8]
Производитель: Vishay, SI4459BDY-T1-GE3

МОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs SO-8

SI4435DYTRPBF, Транзистор, P-канал, -30В -8А [SO-8]
SI4435DYTRPBF, Транзистор, P-канал, -30В -8А [SO-8]
Производитель: Infineon Technologies, SI4435DYTRPBF
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.02 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус soic-8

SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-канал 30В 11.4А [SOIC-8]
SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-канал 30В 11.4А [SOIC-8]
Производитель: Vishay, SI4435DDY-T1-GE3

• Без галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21

SI4420BDY-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 9.5 А, 30 В [SO-8]
SI4420BDY-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 9.5 А, 30 В [SO-8]
Производитель: Vishay, SI4420BDY-T1-E3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0085 ом при 13.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.4
Крутизна характеристики, S 50
Корпус so-8