SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N CHANNEL, 800V, 6A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A;
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 900 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPD06N80C3ATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1792405

Технические параметры

Вес, г

0.4

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

800

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.9 Ом/3.8А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Крутизна характеристики, S

Корпус

DPAK(2 Leads+Tab)

Пороговое напряжение на затворе

2.1…3.9

Техническая документация

Datasheet SPD06N80C3ATMA1 , pdf , 557 КБ

SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация