EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

SPW47N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 47А 70мОм [TO-247]
SPW47N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 47А 70мОм [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW47N60C3FKSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.07 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 415
Крутизна характеристики, S 40
Корпус PG-TO247

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]
SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW35N60C3FKSA1

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

SPW32N50C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 560В 32А [TO-247]
SPW32N50C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 560В 32А [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW32N50C3FKSA1

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247]
SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW24N60C3FKSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.16 Ом/15.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 240
Крутизна характеристики, S 24
Корпус PG-TO247

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

SPW20N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 190мОм [TO-247]
SPW20N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 190мОм [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW20N60C3FKSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 Ом/13.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Крутизна характеристики, S 17.5
Корпус PG-TO247

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

SPW17N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247]
SPW17N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW17N80C3FKSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.29 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Крутизна характеристики, S 15
Корпус PG-TO247

MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 800V; Current, Id Cont: 17A; Resistance, Rds On: 0.29…

SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247]
SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW16N50C3FKSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 560
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.28 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 160
Крутизна характеристики, S 14
Корпус PG-TO247

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247]
SPW11N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А 450мОм [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, SPW11N80C3FKSA1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 156
Крутизна характеристики, S 7.5
Корпус PG-TO247

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

SPP70N10L, Транзистор, N-канал 100В 70А 16мОм [TO-220AB]
SPP70N10L, Транзистор, N-канал 100В 70А 16мОм [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, SPP70N10L
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Крутизна характеристики, S 65
Корпус PG-TO220

SPP21N50C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 500В 21А [TO-220]
SPP21N50C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 500В 21А [TO-220]
Производитель: Infineon Technologies, SPP21N50C3XKSA1

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3