SPP20N60S5XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20А [TO-220]
![SPP20N60S5XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20А [TO-220]](/file/p_img/1792466.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPP20N60S5XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/13А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Корпус | PG-TO220 |
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
SPP20N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 0.19Ом [TO-220AB]
![SPP20N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 0.19Ом [TO-220AB]](/file/p_img/1792465.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPP20N60C3XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/13.1А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Крутизна характеристики, S | 17.5 |
| Корпус | PG-TO220 |
MOSFET, N, TO-220 TUBE 50; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 650V; Current, Id Cont: 20.7A; Resistance, Rds On: 0.1…
SPP17N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 0.29Ом [TO-220AB]
![SPP17N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 0.29Ом [TO-220AB]](/file/p_img/1792464.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPP17N80C3XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом/11А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Крутизна характеристики, S | 15 |
| Корпус | PG-TO220 |
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
SPP11N60S5, 11A 600v 0.38Om TO220, транзистор
Производитель: Infineon Technologies, SPP11N60S5
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 350 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 167 |
| Корпус | PG-TO220 |
SPP11N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 11А 0.38Ом [TO-220AB]
![SPP11N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 11А 0.38Ом [TO-220AB]](/file/p_img/1792462.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPP11N60C3XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.38 Ом/7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 8.3 |
| Корпус | PG-TO220 |
N-Ch 600V 11A 125W 0.38R TO220 Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный пр…
SPP04N60S5, (BUZ91A) 600v 0.95Om TO220 (obs)
Производитель: Infineon Technologies, SPP04N60S5
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 950 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Корпус | PG-TO220 |
SPP07N60C3, 7.3A 600v 0.60Om TO220
Производитель: Infineon Technologies, SPP07N60C3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/4.6a, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Крутизна характеристики, S | 250 |
| Корпус | PG-TO220 |
• Новая революционная технология высокого напряжения • Extreme dV • Рейтинг dt • Возможность высокого пикового тока • Соотве…
SPP03N60S5XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 3.2А 1.4Ом [TO-220AB]
![SPP03N60S5XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 3.2А 1.4Ом [TO-220AB]](/file/p_img/1792459.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPP03N60S5XKSA1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4 Ом/2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Крутизна характеристики, S | 1.8 |
| Корпус | PG-TO220 |
SPD50P03LGBTMA1, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, TO-252
Производитель: Infineon Technologies, SPD50P03LGBTMA1
Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™ Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS…
SPD18P06PGBTMA1, Транзистор P-канал 60В 18.6А [TO-252]
![SPD18P06PGBTMA1, Транзистор P-канал 60В 18.6А [TO-252]](/file/p_img/1792408.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPD18P06PGBTMA1
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13 Ом/13.2А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Крутизна характеристики, S | 8 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS® Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько ф…