SIHP6N40D-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 400В 6А [TO-220AB]
![SIHP6N40D-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 400В 6А [TO-220AB]](/file/p_img/1791228.jpg)
Производитель: Vishay, SIHP6N40D-GE3
N-канальный полевой МОП-транзистор, серия D, высокое напряжение, Vishay Semiconductor
SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC]
![SIHG30N60E-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 29A [TO-247AC]](/file/p_img/1791227.jpg)
Производитель: Vishay, SIHG30N60E-GE3
МОП-транзисторы с N-каналом, серия E, низкая добротность, Vishay Semiconductor Силовые МОП-транзисторы серии E от Vishay - э…
SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC]
![SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC]](/file/p_img/1791226.jpg)
Производитель: Vishay, SIHG20N50C-E3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/10А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | to-247ac |
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
![SIHA22N60E-E3, Транзистор MOSFET N-CH 600В 21A [TO-220FP]](/file/p_img/1791225.jpg)
SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N/P-канал 20В 4.5А/3.7А [PowerPAK SC-70-6 Dual]
![SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N/P-канал 20В 4.5А/3.7А [PowerPAK SC-70-6 Dual]](/file/p_img/1791159.jpg)
Производитель: Vishay, SIA519EDJ-T1-GE3
SIA519EDJ-T1-GE3 - это полевой МОП-транзистор с N / P-каналом, размещенный в корпусе для поверхностного монтажа. • Безгалогеновый …
SI9945AEY, Транзистор, 2хN-канал, 60В, SO8
Производитель: Vishay, SI9945AEY
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.08 Ом/3.7А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Корпус | soic-8 |
SI9435BDY-T1-E3, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 4.1А [SOIC-8]
![SI9435BDY-T1-E3, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 4.1А [SOIC-8]](/file/p_img/1791156.jpg)
Производитель: Vishay, SI9435BDY-T1-E3
МОП-транзистор 30V 5.7A 0.042Ohm
SI7149DP-T1-GE3, Транзистор P-канал, -50 А, -30 В, 5.2 мОм [PowerPAK SO-8]
![SI7149DP-T1-GE3, Транзистор P-канал, -50 А, -30 В, 5.2 мОм [PowerPAK SO-8]](/file/p_img/1791151.jpg)
Производитель: Vishay, SI7149DP-T1-GE3
| Структура | p-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0052 Ом/15a, 10В |
SI7149DP-T1-GE3 - это силовой МОП-транзистор TrenchFET® с P-каналом на -30 В. Подходит для переключателей нагрузки, ноутбуков, настольных ПК и п…
SI7137DP-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -60 А, -20 В, 0.0016 Ом [PowerPAK SO-8]
![SI7137DP-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -60 А, -20 В, 0.0016 Ом [PowerPAK SO-8]](/file/p_img/1791150.jpg)
Производитель: Vishay, SI7137DP-T1-GE3
| Структура | p-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00195 Ом/25a, 10В |
• Без галогена в соответствии с IEC 61249-2-21• 100% тестирование Rg• 100% тестирование UIS
SI7114DN-T1-E3, Транзичтор, MOSFET N-CH 30V 11.7A [[PowerPAK SO-8]
![SI7114DN-T1-E3, Транзичтор, MOSFET N-CH 30V 11.7A [[PowerPAK SO-8]](/file/p_img/1791149.jpg)
Производитель: Vishay, SI7114DN-T1-E3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0075 Ом/18.3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Крутизна характеристики, S | 77 |
| Корпус | PowerPAK-1212-8 |
МОП-транзистор 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V