ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPA11N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 11А [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPA11N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 11А [TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPA11N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 11А [TO-220FP]
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPA11N60C3XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1792398
Технические параметры
Вес, г
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220FP
Transistor Material
Si
Length
10.65mm
Brand
Infineon
Series
CoolMOS C3
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Power Dissipation
33 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.85mm
Height
9.83mm
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Dimensions
10.65 x 4.85 x 9.83mm
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Typical Turn-Off Delay Time
44 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
1200 pF @ 25 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 655 КБ
SPA11N60C3XKSA1 , pdf
, 663 КБ