SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 54 руб.

Сравнить

Описание

SIR462DP-T1-GE3 - это полевой МОП-транзистор TrenchFET® с N-канальным режимом расширения и N-каналом 30VDS, подходящий для высокопроизводительных коммутаторов, серверов, VRM, POL и преобразователей постоянного тока в постоянный.

• 100% Rg проверено
• 100% проверено UIS
• Без галогенов
• От -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIR462DP-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1791251

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.223

Максимальный непрерывный ток стока

19 А

Максимальное рассеяние мощности

4,8 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

5.89мм

Высота

1.04мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

4.9мм

Типичное время задержки выключения

25 ns

Тип корпуса

PowerPAK SO

Размеры

4.9 x 5.89 x 1.04мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

1155 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

sir462dp , pdf , 308 КБ
Datasheet SIR462DP-T1-GE3 , pdf , 307 КБ
Datasheet SIR462DP-T1-GE3 , pdf , 305 КБ
Datasheet , pdf , 305 КБ

SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 54 руб.

Техническая документация