SIR422DP-T1-GE3, Транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 389 руб.

Сравнить

Описание

Корпус POWERPAKSO8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.6 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIR422DP-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1791250

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.03

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

20.5 A

Pd - рассеивание мощности

34.7 W

Qg - заряд затвора

48 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.6 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

84 ns

Время спада

11 ns

Другие названия товара №

SIR422DP-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET, PowerPAK

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

70 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIR

Технология

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

28 ns

Типичное время задержки при включении

19 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

PowerPAK-SO-8

Техническая документация

Datasheet SIR422DP-T1-GE3 , pdf , 324 КБ
Datasheet SIR422DP-T1-GE3 , pdf , 325 КБ

SIR422DP-T1-GE3, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 389 руб.

Техническая документация