ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SIS476DN-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 28.6А [PowerPAK 1212-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SIS476DN-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 28.6А [PowerPAK 1212-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SIS476DN-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 28.6А [PowerPAK 1212-8]
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SIS476DN-T1-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1791253
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
28.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0025 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
3.7
Крутизна характеристики, S
105
Корпус
PowerPAK-1212-8
Техническая документация
sis476dn , pdf
, 572 КБ
Datasheet SIS476DN-T1-GE3 , pdf
, 599 КБ
Datasheet SIS476DN-T1-GE3 , pdf
, 589 КБ
Datasheet SIS476DN-T1-GE3 , pdf
, 572 КБ