STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 59 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 6 А; Rси(вкл): 1 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB6NK60ZT4

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793187

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

10.4 mm

Brand

STMicroelectronics

Series

STB6NK60Z

Package / Case

TO-263-3

Technology

Rds On - Drain-Source Resistance

1.2 Ohms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Width

9.35 mm

Height

4.6 mm

Channel Mode

Enhancement

Configuration

Single

Packaging

Cut Tape or Reel

Product Category

MOSFET

Typical Turn-On Delay Time

14 ns

Typical Turn-Off Delay Time

47 ns

Factory Pack Quantity

1000

Fall Time

19 ns

Forward Transconductance - Min

5 S

Id - Continuous Drain Current

6 A

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

SMD/SMT

Number Of Channels

1 Channel

Pd - Power Dissipation

110 W

Product Type

MOSFET

Rise Time

14 ns

Subcategory

MOSFETs

Tradename

SuperMESH

Transistor Type

1 N-Channel

Type

MOSFET

Техническая документация

Datasheet , pdf , 441 КБ
stb6nk60z , pdf , 426 КБ

STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 59 руб.

Техническая документация