STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

МОП-транзистор N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB34NM60ND

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793183

Вес, г

1.2

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

600

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.11 Ом/14.5А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

190

Корпус

D2PAK(2 Leads+Tab)

Пороговое напряжение на затворе

3…5

STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK] - характеристики, поставщики