STD10P6F6, Транзистор MOSFET P-канал 60В 10А [D-PAK], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 43 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD10P6F6

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793196

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.4

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

7.45мм

Высота

2.38мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P, WRU

Прямое напряжение диода

1.1V

Длина

6.6мм

Серия

STripFET

Типичное время задержки выключения

14 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.6 x 7.45 x 2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

64 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6.4 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

340 пФ при -48 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

std10p6f6 , pdf , 1186 КБ
Datasheet STD10P6F6 , pdf , 1526 КБ

STD10P6F6, Транзистор MOSFET P-канал 60В 10А [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 43 руб.

Техническая документация