STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD10NM60N

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793195

Технические параметры

Вес, г

0.4

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

600

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.6 Ом/4А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Корпус

DPAK(2 Leads+Tab)

Техническая документация

...10NM60N , pdf , 1258 КБ
Datasheet STD10NM60N , pdf , 581 КБ

STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация