STB23NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.162 Ом, 17 А, D2PAK, транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB23NM50N

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793181

Вес, г

1.2

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

500

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.19 Ом/8.5А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

125

Корпус

D2PAK(2 Leads+Tab)

Пороговое напряжение на затворе

2…4

STB23NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.162 Ом, 17 А, D2PAK, транзистор - характеристики, поставщики